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G6D-F4PU / G3DZ-F4PU, G6D-F4B / G3DZ-F4B

端子繼電器

G6D-F4PU / G3DZ-F4PU, G6D-F4B / G3DZ-F4B

操作容易、省空間,4點輸出用端子繼電器

額定

繼電器規格

操作線圈(每台G6D型繼電器)

額定電壓
(V)
額定電流
(mA)
線圈阻抗
(Ω)
動作電壓
(V)
復歸電壓
(V)
最大容許電壓
(V)
消耗電力
(mW)
DC 12 18.7 720 70%以下* 10%以上 130% 約200
24 10.5 2,880

註1. 額定電流、線圈阻抗為線圈溫度+23°C時的值,公差為±10%。

2. 動作特性為線圈溫度+23°C時的值。

3. 最大容許電壓為繼電器線圈操作電源之允許電壓變動範圍的最大值。並非 連續容許。

4. 額定電流包含端子的LED電流。 

*惟當上下方向顛倒安裝時為75%以下。

開閉部(每台G6D型繼電器)

負載 電阻負載(cosΦ =1)
額定負載 AC250V 3A、DC30V 3A
額定通電電流 5A
最大接點電壓 AC250V、DC30V
最大接點電流 5A
最大開關容量(參考值) 1,250VA、 150W

功率MOS FET繼電器規格

輸入(每台G3DZ型功率MOS FET繼電器)

額定電壓 操作電壓 動作電壓位準 復歸電壓位準 輸入阻抗 額定電流
DC 12 DC9.6~14.4V DC9.6V以下 DC1V以上 2kΩ±20% 8.0mA±20%
24 DC19.2~28.8V DC19.2V以下 4kΩ±20% 8.2mA±20%
註. 額定電流包含端子的LED電流。

輸出(每台G3DZ型功率MOS FET繼電器)

負載電壓 負載電流 突波電流耐量
AC3~264V
DC3~125V
100μ~0.3A 6A(10ms)
註. G3DZ無輸出極性。

性能

型號 G6D-F4B
繼電器輸出
接觸電阻*1 100mΩ以下
動作時間*2 10ms以下
復歸時間*2 10ms以下
絕緣阻抗 1,000MΩmin. (at 500 VDC)
耐電壓 線圈/接點之間 AC2,000V 50/60Hz 1min
同極接點之間 AC750V 50/60Hz 1min
耐衝擊電壓(線圈/接點之間) 4,000V(1.2×50μs)
震動 耐久 10~55~10Hz 單側振幅0.75mm(重複振幅1.5mm)
誤動作 10~55~10Hz 單側振幅0.75mm(重複振幅1.5mm)
衝擊 耐久 500m/s2
誤動作 100m/s2
耐久性 機械性 2,000萬次以上(開閉頻率18,000次/h)
電氣性*2 AC250V 3A(電阻負載)10萬次以上
DC 30V 3A(電阻負載)10萬次以上
(開閉頻率1,800次/h)
故障率P水準(參考值*3) DC5V、10mA
使用環境溫度、保存環境溫度 -25~+55°C(不結冰)
使用環境濕度 45~85%RH
重量 約65g

註. 上述為初始值。

*1. 量測條件:DC 5V 1A 

*2. 環境溫度條件:+23°C

*3. 此值為開閉頻率120次/min時的值。

型號 G3DZ-F4B
功率MOS FET繼電器輸出
動作時間 10ms以下
復歸時間 15ms以下
輸出ON電阻 2.4Ω以下
開路時漏電流 10μA以下(DC125V時)
絕緣阻抗 100MΩmin. (at 500 VDC)
輸出入間耐電壓 AC2,000V 50/60Hz 1min
震動 10~55~10Hz 單側振幅0.75mm(重複振幅1.5mm)
衝擊 500m/s2
使用環境溫度、保存環境溫度 -25~+55°C(不結冰)
使用環境濕度 45~85%RH
重量 約65g